氮化镓MOS

产品型号 一般描述 数据手册 封装 产品等级 VDs
最大值		 ID(A) RDS(on)
(mΩ)		 VGs
最大值		 QG(nC) 脉冲电流
ID(A)
TSGaN065N010Q 650V 10A GaN FET Power Transistor PDFN 8X8 Industrial 650V 10A 164mΩ 1.7 nC 13A
TSGaN065S015Q 650V 15A GaN FET Power Transistor PDFN 8X8 Industrial 650V 15A 122mΩ 2 nC 18A
TSGaN065S025Q 650V 25A GaN FET Power Transistor PDFN 8X8 Industrial 650V 25A 202mΩ 2.2 nC 28A
熙素微（ThriveSemi)宽禁带半导体（GaN)功率晶体管,彻底改变一些电力系统更高性能应对挑战的能力。从过去的硅基系统所强加的设计限制中解脱出来的公司，可以获得以前无法想象的各种创新，这些创新不仅将彻底改变他们的行业，而且在规模上，甚至提供了改变世界的机会。

碳化硅二极管

产品型号 一般描述 数据手册 封装 产品等级 闭锁电压 正向电压
FV(V)		 额定电流 最大持续电流
(If)		 总电容充电
(Qc Typ)		 总功耗
(Ptot)
TSSiC065S040G 650V 40A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 650V 1.4 40A 23*A 69* nC 400W
TSSiC065S020C 650V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.5 20A 27A 68.8 nC 75W
TSSiC065S020D 650V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO247-2L Industrial 650V 1.5 20A 27A 68.8 nC 200W
TSSiC065S020G 650V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 650V 1.5 20A 27A 68.8 nC 200W
TSSiC065S016C 650V 16A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.4 16A 19A 46.5 nC 160W
TSSiC065S012C 650V 12A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.4 12A 15A 34 nC 130W
TSSiC065S010N 650V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO220N-2L Industrial 650V 1.4 10A 10.5A 28 nC 110W
TSSiC065S010G 650V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 650V 1.5 10A 8*A 17* nC 110W
TSSiC065S010F 650V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO220F-2L Industrial 650V 1.5 10A 10A 28 nC 110W
TSSiC065S010C 650V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.5 10A 13A 28 nC 110W
TSSiC065S008C 650V 8A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.5 8A 11A 23 nC 90W
TSSiC065S006C 650V 6A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.4 6A 9A 17 nC 80W
TSSiC065S004E 650V 4A Power Schottky silicon carbide diode TO252-2L Industrial 650V 1.4 4A 6A 12 nC 55W
TSSiC065S004C 650V 4A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.4 4A 6A 12 nC 55W
TSSiC065S002E 650V 2A Power Schottky silicon carbide diode TO252-2L Industrial 650V 1.4 2A 6A 12 nC 25W
TSSiC065S002C 650V 2A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 650V 1.4 2A 6A 12 nC 25W
TSSiC120S040D 1200V 40A Power Schottky silicon carbide diode TO247-2L Industrial 1200V 1.4 40A 22*A 102* nC 520W
TSSiC120S040G 1200V 40A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 1200V 1.5 40A 22*A 102* nC 530W
TSSiC120S030G 1200V 30A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 1200V 1.5 30A 17*A 76.5* nC 410W
TSSiC120S020D 1200V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO247-2L Industrial 1200V 1.4 20A 26A 103 nC 400W
TSSiC120S020G 1200V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 1200V 1.5 20A 26A 103 nC 260W
TSSiC120S020C 1200V 20A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 1200V 1.4 20A 26A 103 nC 200W
TSSiC120S015D 1200V 15A Power Schottky silicon carbide diode TO247-2L Industrial 1200V 1.5 15A 17A 76.5 nC 200W
TSSiC120S015C 1200V 15A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 1200V 1.5 15A 17A 76.5 nC 190W
TSSiC120S010D 1200V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO247-2L Industrial 1200V 1.5 10A 13A 51.4 nC 130W
TSSiC120S010G 1200V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO247-3L Industrial 1200V 1.5 10A 13A 51.4 nC 130W
TSSiC120S010C 1200V 10A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 1200V 1.5 10A 13A 51.4 nC 120W
TSSiC120S005E 1200V 5A Power Schottky silicon carbide diode TO252-2L Industrial 1200V 1.5 5A 8.4A 27 nC 55W
TSSiC120S005C 1200V 5A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 1200V 1.5 5A 8.4A 27 nC 55W
TSSiC120S002E 1200V 2A Power Schottky silicon carbide diode TO252-2L Industrial 1200V 1.5 2A 3.9A 12 nC 25W
TSSiC120S002C 1200V 2A Power Schottky silicon carbide diode TO220-2L Industrial 1200V 1.5 2A 3.9A 12 nC 25W

熙素微（ThriveSemi)的碳化硅二极管产品系列电压范围从600到1700 V，包括单、双二极管。 它们有多种封装，从DPAK到TO-247以及绝缘的TO-220AB/AC，为设计者们提供了极大的灵活性，具有高效、稳定和快速投放市场等优势。

相比于硅，碳化硅有优越的物理属性，及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。，SiC肖特基整流器具有好于4倍的动态特性和降低15%的前向电压（VF）。

SiC 具备高效功率转换器（得益于低前向导通和开关损耗）/ 显著降低了功率转换器尺寸和成本 / 低EMC效应 / 自然的稳定性确保了超高的可靠性。

熙素微（ThriveSemi)的SiC二极管显示了显著的功耗降低，通常用于硬开关应用，如：用于太阳能和风能的DC/AC转换器中的高效逆变器、高端服务器和电信供电、电动和混合动力汽车的功率转换器和无中断供电（UPS）、工业设备和空调设备的功率逆变器等。