创造、创新功率无限
难以想象的电力电子、微波射频创新,即将在宽禁带半导体材料(GaN 、SiC)上实现的半导体器件发挥巨大拓展可能。相较于传统的硅基器件,宽禁带半导体器件可以工作在更高的电压及更高的温度下;氮化镓、碳化硅技术在器件中重新定义,成就系统产品的人文革新,赋予你创作高性能产品并使你在商业竞争中再次成功。

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博观而约取,厚积而薄发创造绚烂自然而努力
同事们多年积累的氮化镓、碳化硅功率晶体管创新结晶,设计出新一代体积更小,成本可观,效率更高的电源系统器件,解决传统功率器件的技术束缚。
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选择GaN,SiC的理由

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熙素微的GaN,SiC 产品正遍布全球,从立足中国远扬全球开始。